碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，憑借更高的轉(zhuǎn)換效率、運(yùn)行高壓及開關(guān)頻率，頗受功率器件青睞。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測，碳化硅半導(dǎo)體市場規(guī)模將在2024年達(dá)到20億美元。當(dāng)前，我國正在推進(jìn)5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域的“新基建”，為碳化硅提供了廣闊的市場前景。 　　“新基建”帶來新市場 　　與硅材料相比，碳化硅能達(dá)到更高的運(yùn)行電壓、更高的功率密度和更大的開關(guān)頻率，使器件實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更好的散熱性能。賽迪智庫集成電路研究所副所長朱邵歆向記者表示，碳化硅材料具有耐高壓、耐高溫、損耗小、開關(guān)速度快等特性，制作成的SBD二極管和MOSFET開關(guān)管相比硅材料制成的FRD二極管和MOSFET開關(guān)管性能更優(yōu)，在光伏逆變器、新能源汽車、充電樁、變頻家電領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，具有非常強(qiáng)的推廣前景。 　　新基建關(guān)注數(shù)字化基礎(chǔ)設(shè)施，將有力支持高新技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，為碳化硅帶來廣闊的市場機(jī)遇。 　　泰科天潤董事長陳彤向記者表示，新基建關(guān)注的信息基礎(chǔ)設(shè)施多為用電大戶，對用電的需求量和質(zhì)量提出了更高的要求。而用電結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，包括用電分配利用環(huán)節(jié)的高低壓轉(zhuǎn)換、交直流轉(zhuǎn)換、變頻轉(zhuǎn)換等，都依托于功率半導(dǎo)體作為底層技術(shù)。碳化硅作為新一代半導(dǎo)體材料，具備更高的用電轉(zhuǎn)換效率，將更有效率地面對新基建的用電需求。 　　“碳化硅提升了用電轉(zhuǎn)換的效率和質(zhì)量。相比硅，碳化硅在用電效率上能提升兩到三個(gè)百分點(diǎn)，可靠性更高，而且器件的體積重量更小，將在用電結(jié)構(gòu)優(yōu)化中起到更大作用?！标愅f。 　　具體來說，新基建涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)，都是碳化硅的目標(biāo)市場。 　　英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源向記者指出，5G小基站對電源有著工作溫度范圍寬(-45℃～80℃)、高可靠性、高密度需求。相比硅器件，碳化硅器件散熱系數(shù)更高，更適用于5G小基站的部署。 　　朱邵歆表示，新基建關(guān)注的特高壓、新能源汽車充電樁、數(shù)據(jù)中心等都為碳化硅帶來發(fā)展機(jī)遇。特別是數(shù)據(jù)中心對能耗的要求持續(xù)提升，更有可能在電源中規(guī)模使用碳化硅器件。數(shù)據(jù)中心使用的高端電源很可能成為碳化硅的下一個(gè)增量市場。 　　瀚天天成總經(jīng)理馮淦向記者表示，碳化硅在大功率電力電子器件具有優(yōu)勢，新基建關(guān)注的大部分項(xiàng)目都與碳化硅的布局方向有關(guān)，對碳化硅產(chǎn)業(yè)是一個(gè)利好。尤其在新能源汽車以及充電樁領(lǐng)域，碳化硅的增長速度可觀，碳化硅從業(yè)者非?？粗匦履茉雌噷μ蓟璁a(chǎn)業(yè)的帶動作用。 　　辯證看待碳化硅的“貴” 　　相比硅，碳化硅在大功率電子電力器件有著更優(yōu)的物理特性。但是，碳化硅晶圓成本較高，性價(jià)比不如硅，這在一定程度上制約了碳化硅的市場發(fā)展。對此，相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)人表示，要辯證看待碳化硅的成本和發(fā)展?jié)摿Α? 馮淦表示，碳化硅的成本要從三個(gè)層次來看。在材料層面，碳化硅的晶圓和外延片，確實(shí)比硅要貴，甚至貴出100倍。但是在器件層面，同等規(guī)格的碳化硅器件與硅器件相比，單個(gè)管芯的價(jià)格可能只有三到五倍的差距。這是因?yàn)橐粋€(gè)晶圓上面，碳化硅尺寸上可以做得很小，平均每個(gè)器件的成本就會降低。 　　“隨著良率的提升，一個(gè)晶圓上可以切割出來的碳化硅器件會更多。近幾年，碳化硅器件的成本有希望控制到和硅器件有競爭力的水平，甚至比硅器件還要便宜。”馮淦說。同時(shí)，在系統(tǒng)層面，也就是逆變器、電源、電動汽車等終端應(yīng)用方面，使用碳化硅器件可以降低電容、電感、冷卻等系統(tǒng)性成本，并實(shí)現(xiàn)更好的性能。 　　陳彤表示，碳化硅成本要進(jìn)一步下探，需要足夠大的消費(fèi)市場。硅已經(jīng)有了30年到50年的發(fā)展過程，而碳化硅在2010年左右才走向民用市場，已經(jīng)有了幾十億元的市場規(guī)模，發(fā)展速度不算慢。 　　“上游供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)，把成本攤下來，對于下游的終端應(yīng)用才更有吸引力;同時(shí)，下游市場的應(yīng)用規(guī)模足夠大，買單足夠多，上游供應(yīng)商才能擴(kuò)產(chǎn);這是一個(gè)‘雞生蛋、蛋生雞’的問題，也是一個(gè)循序漸進(jìn)的過程?！标愅f。 　　中國企業(yè)應(yīng)做好細(xì)分市場 　　碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為上游襯底、中游外延、下游器件。目前我國企業(yè)在碳化硅的上、中、下游都有布局，但市占率與Cree等國際龍頭企業(yè)還存在差距。 　　Cree作為碳化硅的先行者，在襯底、外延、器件都具有絕對優(yōu)勢。馮淦指出，Cree的優(yōu)勢源于先發(fā)優(yōu)勢和持續(xù)的技術(shù)投入。一方面，Cree是最早做碳化硅的企業(yè)之一，聚集、培育了碳化硅產(chǎn)業(yè)的第一批人才;另一方面，作為第一批從事碳化硅產(chǎn)業(yè)化經(jīng)營的企業(yè)，Cree能夠獲得收益，支持對前沿技術(shù)的持續(xù)性資金投入，形成了技術(shù)優(yōu)勢。 　　碳化硅本身的產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)，也增加了后發(fā)企業(yè)挑戰(zhàn)Cree領(lǐng)先地位的難度。馮淦表示，碳化硅面向的終端領(lǐng)域是大功率電力電子器件，注重產(chǎn)品的可靠性和安全性，具有技術(shù)門檻較高、認(rèn)證周期較長的特點(diǎn)。這意味著終端企業(yè)更換供貨商要面臨產(chǎn)品的重新認(rèn)證，難度較大。 　　但是，碳化硅目前還處在市場部署的早期階段，國內(nèi)國際企業(yè)都尚未步入大規(guī)模的量產(chǎn)商用。陳彤表示，對于后發(fā)的功率半導(dǎo)體企業(yè)，要用已經(jīng)成熟的技術(shù)工藝去追趕更有技術(shù)積淀的先發(fā)企業(yè)，難度較大。后發(fā)企業(yè)要成長，必須有一個(gè)新舊技術(shù)迭代的窗口期。 　　“碳化硅是一個(gè)新的產(chǎn)業(yè)機(jī)會，給了中國功率半導(dǎo)體企業(yè)參與國際競爭的機(jī)會。在新技術(shù)出現(xiàn)的時(shí)候，我們的反應(yīng)要快?！标愅f。 　　我國企業(yè)該如何抓住碳化硅的發(fā)展機(jī)遇?朱邵歆表示，國內(nèi)企業(yè)需要錘煉內(nèi)功，以國內(nèi)客戶的真實(shí)需求為前提，打磨產(chǎn)品和技術(shù)，不能僵硬地單一對標(biāo)國外的發(fā)展路徑，更不能在沒有明確客戶的情況下，過早擴(kuò)充產(chǎn)能。 　　“提升客戶需要的性能指標(biāo)比直接擴(kuò)充產(chǎn)線更加重要和緊迫。”朱邵歆說。 　　在發(fā)展模式上，馮淦認(rèn)為，國內(nèi)企業(yè)不要盲目追求Cree涉獵產(chǎn)業(yè)鏈所有環(huán)節(jié)的發(fā)展模式，這種模式不一定適合當(dāng)前碳化硅的發(fā)展階段。襯底企業(yè)應(yīng)專注襯底，外延企業(yè)專注于外延，器件企業(yè)專注于器件，將更有利于形成競爭優(yōu)勢。 　　“將產(chǎn)業(yè)鏈做長的發(fā)展模式只適合市場早期。專注在自己的細(xì)分領(lǐng)域，將規(guī)模做大，成本才會下降，競爭力才會提升?！瘪T淦說。

第三代半導(dǎo)體材料成顯學(xué)，市場看好未來第三代半導(dǎo)體材料的各項(xiàng)優(yōu)勢，但礙于成本仍貴，量產(chǎn)具有難度，為了加快技術(shù)上以及生產(chǎn)上的突破，單打獨(dú)斗困難，各方人馬進(jìn)入團(tuán)戰(zhàn)階段，越早把良率提升、成本降低、進(jìn)入量產(chǎn)，越快能享受這塊未來看好的市場大餅。 第三代半導(dǎo)體前景 據(jù)半導(dǎo)體材料分類，第一代半導(dǎo)體材料包括鍺以及硅，也是目前最大宗的半導(dǎo)體材料，成本相對便宜，制程技術(shù)也最為成熟，應(yīng)用領(lǐng)域在資訊產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè)；第二代半導(dǎo)體材料則包括砷化鎵以及磷化銦，主要應(yīng)用在通訊產(chǎn)業(yè)以及照明產(chǎn)業(yè)；而第三代半導(dǎo)體才以碳化硅以及氮化鎵為代表，則可應(yīng)用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領(lǐng)域。 至于碳化硅以及氮化鎵雖然同為第三代半導(dǎo)體材料，但應(yīng)用略有不同，氮化鎵主要用在中壓領(lǐng)域約600伏特的產(chǎn)品，一部分會與硅材料的市場重疊，但氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產(chǎn)品，此特性在基站、 5G等高速產(chǎn)品就會很有優(yōu)勢；而碳化硅則可以用在更高壓，如上千伏的產(chǎn)品，包括電動車用、高鐵或工業(yè)用途，具有很好的耐高溫以及高壓特性。 也因如此，以碳化硅晶圓為例，市場更看好其在車用市場的應(yīng)用，包括充電樁、新能源車以及馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement表示，碳化硅晶圓到2023年時(shí)市場規(guī)?？蛇_(dá)15億美金，年復(fù)合成長率逾31% ；而用在通訊元件領(lǐng)域，到2023年市場也可達(dá)13億美金，年復(fù)合成長率則可達(dá)23% ，商機(jī)受矚。 各方人馬合作/結(jié)盟/并購動作積極 全球半導(dǎo)體大廠跨入第三代半導(dǎo)體材料，已多展開合作、策略結(jié)盟或并購，包括IDM廠商意法半導(dǎo)體并購Norstel AB以及法國Exagan、英飛凌收購Siltectra ，以及日商ROHM收購SiCrystal等等；而臺廠也爭逐第三代半導(dǎo)體材料，以今年上半年臺積電(2330)攜手意法半導(dǎo)體最具代表性，而此次硅晶圓大廠環(huán)球晶與宏捷科的策略私募入股，整合上下游產(chǎn)業(yè)鏈的能力達(dá)成互補(bǔ)，加快開發(fā)腳步以及瓶頸，打團(tuán)戰(zhàn)比單打獨(dú)斗，更快可獲取市場。 氮化鎵難度在晶格，碳化硅晶種、長晶都是挑戰(zhàn) 目前第三代半導(dǎo)體材料占比重仍相當(dāng)?shù)?，量產(chǎn)端的困難仍是最大挑戰(zhàn)。氮化鎵發(fā)展瓶頸段仍在基板段，造成氮化鎵的成本昂貴且供應(yīng)量不足，主要是因?yàn)榈夐L在硅上的晶格不匹配，困難度高，另外的困難在于氮化鉀產(chǎn)品容易翹曲，所以基板也要特別制造，如果會往上翹，就要在先逆向長氮化鎵在硅上，具有相當(dāng)難度。 以碳化硅來說，技術(shù)難度在于第一、在長晶的源頭晶種來源就要求相當(dāng)高的純度、取得困難，第二，長晶的時(shí)間相當(dāng)長，以一般硅材料長晶來說，平均約3-4天即可長成一根晶棒，但碳化硅晶棒則約需要7天，由于長晶過程中要隨著監(jiān)測溫度以及制程的穩(wěn)定，以免良率不佳，故時(shí)間拉長更增添長晶制作過程中的難度；第三則是長晶棒的生成，一般的硅晶棒約可有200公分的長度，但長一根碳化硅的長晶棒只能長出2公分，造成量產(chǎn)的困難。 價(jià)格仍是普及的最大關(guān)鍵 全球以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料市場約4500億美金，其中第三代半導(dǎo)體僅才占10億美金的水準(zhǔn)，比重仍相當(dāng)?shù)?，以中美晶來說，目前第三代半導(dǎo)體材料僅占中美晶不到1%的水準(zhǔn)，包括碳化硅4寸以及6寸產(chǎn)品、氮化鎵8寸的產(chǎn)品，但未來的成長幅度仍很大，不過要商業(yè)化的關(guān)鍵即是價(jià)格要快速下降，至少要比現(xiàn)在價(jià)格還要便宜5成，市場接受度才會提高。 而對于各國的發(fā)展腳步，包括美國、日本、歐盟都想把技術(shù)建立起來，且化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域在軍事也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重要的上游材。 至于整體市場的起飛時(shí)間，本來市場認(rèn)為，在5G和電動車的推波助瀾下，2020年第三代半導(dǎo)體材料就會有量，但今年受到新冠疫情影響，整個(gè)車用市場大亂，5G布建也受到影響，預(yù)估2021年下半年就會比較有量，最快可以應(yīng)用的還是power相關(guān)的產(chǎn)品，但5G以及電動車領(lǐng)域仍是未來撐起市場的重要?jiǎng)幽堋?

2021年1月20日上午，國務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會，介紹落實(shí)五中全會精神，加快推進(jìn)北京國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)的有關(guān)情況。會上，北京市副市長、秘書長靳偉表示，到2025年，北京國際科技創(chuàng)新中心基本形成。到2035年，北京國際科技創(chuàng)新中心創(chuàng)新力、競爭力、輻射力全球領(lǐng)先，形成國際人才的高地，切實(shí)支撐我國建設(shè)科技強(qiáng)國。 加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過程 北京市副市長靳偉在國新辦發(fā)布會上表示，“十三五”期間，北京原始創(chuàng)新策源能力進(jìn)一步增強(qiáng)，涌現(xiàn)出馬約拉納任意子、新型基因編輯技術(shù)、天機(jī)芯、量子直接通信樣機(jī)等一批世界級的重大原創(chuàng)成果，未來五年，北京要進(jìn)一步堅(jiān)持“鍛長板”與“補(bǔ)短板”并重，立足科技自立自強(qiáng)，堅(jiān)持有所為、有所不為，圍繞“四個(gè)面向”，開展重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)工作。 第一，在鍛造長板方面，進(jìn)一步強(qiáng)化重點(diǎn)領(lǐng)域領(lǐng)先優(yōu)勢。一是加強(qiáng)人工智能前沿基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵的共性基礎(chǔ)研究，通過“智源學(xué)者計(jì)劃”，吸引人工智能高端人才，更多培養(yǎng)青年科研人員，加快搭建自主底層的技術(shù)架構(gòu)。二是支持開展量子計(jì)算關(guān)鍵器件的核心技術(shù)和軟件系統(tǒng)的生態(tài)構(gòu)建，促進(jìn)在大數(shù)據(jù)搜索、人工智能、藥物研發(fā)等領(lǐng)域的應(yīng)用。三是支持開展區(qū)塊鏈的前沿技術(shù)攻關(guān)，搭建算力模型、軟硬技術(shù)支撐的技術(shù)構(gòu)架體系。四是支持開展生物技術(shù)攻關(guān)，加快研發(fā)生命科學(xué)前沿新技術(shù)，生物安全防控關(guān)鍵技術(shù)。 第二，在補(bǔ)足短板方面，著力攻克重要領(lǐng)域關(guān)鍵的核心技術(shù)。一是推動集成電路產(chǎn)研一體突破。二是開展關(guān)鍵新材料的技術(shù)攻關(guān)，加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過程。三是聚焦通用型的關(guān)鍵零部件，研發(fā)突破部分儀器的關(guān)鍵零部件。四是推動高端儀器設(shè)備研發(fā)實(shí)現(xiàn)突破，支持形成一批服務(wù)于重大的科技基礎(chǔ)設(shè)施的定制化的科學(xué)儀器和設(shè)備。 前瞻部署基礎(chǔ)研究 2025年北京國際科創(chuàng)中心形成 科技部副部長李萌介紹，十九屆五中全會明確提出支持北京、上海、粵港澳大灣區(qū)形成國際科技創(chuàng)新中心，為北京科技創(chuàng)新中心建設(shè)賦予了新的目標(biāo)和任務(wù)?？萍疾俊⒈本┦蟹e極主動貫徹落實(shí)，與國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、中國科學(xué)院等21個(gè)部門共同謀劃北京國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)方案，提出《“十四五”北京國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)戰(zhàn)略行動計(jì)劃》，形成系統(tǒng)性、整體性、協(xié)同性設(shè)計(jì)和安排。 李萌指出，北京國際科創(chuàng)中心建設(shè)要走出新路子，關(guān)鍵是能力和生態(tài)的構(gòu)建。首先，以布局國家戰(zhàn)略科技力量構(gòu)建牽引力。按照黨中央部署，科技部會同相關(guān)部委全力支持北京培育建設(shè)國家實(shí)驗(yàn)室，參與重組國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室體系，牽頭建設(shè)京津冀國家技術(shù)創(chuàng)新中心，探索建立“頂層目標(biāo)牽引、重大任務(wù)帶動、基礎(chǔ)能力支撐”的科技組織模式，在前沿領(lǐng)域培育一批世界一流新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。 同時(shí)，以展開重大基礎(chǔ)前沿領(lǐng)域研發(fā)構(gòu)建原創(chuàng)力。按照習(xí)近平總書記“四個(gè)面向”的要求，圍繞量子信息、人工智能、區(qū)塊鏈、生命健康等新科技革命和產(chǎn)業(yè)變革前沿領(lǐng)域，共同實(shí)施系列專項(xiàng)行動，前瞻部署基礎(chǔ)研究，推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，補(bǔ)短板和鍛長板并舉，努力構(gòu)建先發(fā)優(yōu)勢。另外，以改革和政策先行先試構(gòu)建新動力。積極支持北京發(fā)揮好中關(guān)村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)、中國（北京）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)的政策優(yōu)勢，持續(xù)深化改革，完善科技治理體系，為創(chuàng)新主體創(chuàng)造更好科研生態(tài)、技術(shù)生態(tài)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 支撐科技創(chuàng)新加速突破 北京在構(gòu)建國家戰(zhàn)略科技力量方面應(yīng)該是具有先發(fā)優(yōu)勢，擁有一批世界頂尖科學(xué)家、工程技術(shù)專家；擁有中科院、清華、北大等一大批知名的高校院所。布局有高能同步輻射光源等20個(gè)左右重大科技基礎(chǔ)設(shè)施、128個(gè)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、68個(gè)國家工程技術(shù)中心，以及近2.9萬家國家級高新技術(shù)企業(yè)。 北京市副市長、秘書長靳偉表示，“十四五”期間，北京將發(fā)揮社會主義市場經(jīng)濟(jì)條件下新型舉國體制優(yōu)勢，突出強(qiáng)調(diào)支撐和引領(lǐng)作用，力爭形成國家實(shí)驗(yàn)室、國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、綜合性國家科學(xué)中心、新型研發(fā)機(jī)構(gòu)“上下銜接、差異布局、協(xié)同聯(lián)動，體系發(fā)展”的戰(zhàn)略科技力量布局，支撐科技創(chuàng)新加速突破。 加速北京懷柔綜合性國家科學(xué)中心建設(shè)。懷柔科學(xué)城正在加速集聚創(chuàng)新資源，加速培育創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境，中科院納米能源所已搬遷入駐，綜合極端條件實(shí)驗(yàn)裝置、材料基因組平臺等率先進(jìn)入了科研狀態(tài)，“科學(xué)+城”的城市框架扎實(shí)起步。懷柔科學(xué)城將加快推進(jìn)世界一流重大科技基礎(chǔ)設(shè)施集群建設(shè)，積極探索重大科技基礎(chǔ)設(shè)施開放運(yùn)行的新機(jī)制，支持與全球頂尖的科學(xué)家、國際科技組織共同加強(qiáng)重大科學(xué)問題研究。在能源、物質(zhì)、空間等重點(diǎn)學(xué)科加快跨領(lǐng)域、跨區(qū)域創(chuàng)新要素的整合布局。 北京將持續(xù)支持建設(shè)世界一流新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。這幾年北京在人工智能、腦科學(xué)、量子、應(yīng)用數(shù)學(xué)等領(lǐng)域先后建設(shè)了一批新型研發(fā)機(jī)構(gòu)?！笆奈濉逼陂g，北京將在光電子、區(qū)塊鏈等前沿領(lǐng)域繼續(xù)布局建設(shè)新一批新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，并在運(yùn)行機(jī)制、支持方式、人才引進(jìn)、績效評價(jià)、成果轉(zhuǎn)化等方面要以更大力度探索制度創(chuàng)新，讓科學(xué)家有更大的話語權(quán)。 未來五年北京如何激發(fā)人才創(chuàng)新活力？ 記者在國新辦發(fā)布會現(xiàn)場了解到，北京市制定實(shí)施了“人才五年行動計(jì)劃”，創(chuàng)新新型研發(fā)機(jī)構(gòu)的支持方式和管理模式，深化職稱制度和科技獎(jiǎng)勵(lì)的制度改革，探索“揭榜攻關(guān)”模式，特別是通過實(shí)施促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化條例、科創(chuàng)30條，極大激發(fā)各類創(chuàng)新主體和科研人員的積極性。 靳偉進(jìn)一步解釋，“十四五”期間，北京市將在國家各個(gè)部委的支持下發(fā)揮好國家服務(wù)業(yè)擴(kuò)大開放綜合示范區(qū)和中國（北京）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)的政策優(yōu)勢，率先開展相關(guān)先行先試，在激發(fā)人才創(chuàng)新的活力方面，要依托國家實(shí)驗(yàn)室、新型研發(fā)機(jī)構(gòu)等科研載體，更大力度地吸引國際人才的落戶，集聚培養(yǎng)一批優(yōu)秀的青年人才，加快形成多層次的創(chuàng)新人才梯隊(duì)，讓各類人才能夠心無旁騖的專注事業(yè)，人盡其才。同時(shí)，加強(qiáng)人才的引進(jìn)服務(wù)保障，進(jìn)一步提高國際人才來京工作的審批效率，構(gòu)建國際化的學(xué)術(shù)環(huán)境和生活環(huán)境。 靳偉強(qiáng)調(diào)，北京市將開展科技評價(jià)體系改革，破除“唯論文、唯職稱、唯學(xué)歷、唯獎(jiǎng)項(xiàng)”的導(dǎo)向。 “去年北京促進(jìn)科技成果的轉(zhuǎn)化條例正式實(shí)施，這是科研人員長期期盼的科技成果的權(quán)屬改革實(shí)現(xiàn)了制度性的突破，去年一年應(yīng)該說取得了較好的成績，”靳偉坦言，但北京也存在落地“最后一公里”的問題，下一步將著力打通法規(guī)落地的堵點(diǎn)問題，為創(chuàng)新者賦能護(hù)航。

2020年，當(dāng)大多數(shù)快充電源廠商還在65W氮化鎵快充市場探索時(shí)，倍思開創(chuàng)性的推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產(chǎn)品，第一次將“碳化硅快充”從設(shè)想變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，開啟了碳化硅在快充領(lǐng)域商用的大門。 隨后，MOMAX、REMAX等廠商陸續(xù)跟進(jìn)，基于碳化硅推出多款百瓦級大功率快充電源，也讓越來越多的業(yè)內(nèi)人士和消費(fèi)者對碳化硅有了更進(jìn)一步的了解。 一、官宣：碳化硅寫入十四五規(guī)劃 2021年3月13日，新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，其中“集成電路”領(lǐng)域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體要取得發(fā)展。 碳化硅和氮化鎵都屬于第三代半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體材料，能夠在“十四五規(guī)劃”中提名，足以說明其重要程度已經(jīng)上升到了國家的層面。相信在國家的助推下，國內(nèi)將迅速形成適合第三代半導(dǎo)體發(fā)展的環(huán)境，前景十分值得期待。 二、碳化硅用于快充的優(yōu)勢 碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物理氣相輸運(yùn)（PVT）法，在超過2000℃的高溫下，將碳粉和硅粉通過高溫分解成原子，通過溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體。 作為第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，介電擊穿強(qiáng)度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導(dǎo)率更高。因此，當(dāng)用于半導(dǎo)體器件中時(shí)，碳化硅器件擁有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。 碳化硅可以廣泛應(yīng)用于電動汽車、逆變器、軌道交通、太陽能、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)類電源等領(lǐng)域。近年來，隨著USB PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，碳化硅二極管也開始在消費(fèi)類電源市場中嶄露頭角，進(jìn)入了多款百瓦級大功率快充供應(yīng)鏈，助力快充電源實(shí)現(xiàn)更高的效率和更小的體積。 充電頭網(wǎng)了解到，在大功率快充電源產(chǎn)品中，碳化硅二極管主要用于PFC級的升壓整流；搭配氮化鎵功率器件，可以將PFC級的工作頻率從傳統(tǒng)快充的不足100KHz提升到300KHz，由此減小升壓電感體積，實(shí)現(xiàn)高功率密度的設(shè)計(jì)，同時(shí)也讓電源的效率得到了大幅提升。 開關(guān)電源中，由于整流后采用大容量的濾波電容，呈現(xiàn)容性負(fù)載，而在電容充放電時(shí)會使電網(wǎng)中產(chǎn)生大量高次諧波，產(chǎn)生污染和干擾，人們開始在開關(guān)電源中引入PFC電路，功率在75W以上的開關(guān)電源強(qiáng)制要求加入PFC電路以提高功率因數(shù)，修正負(fù)載特性。 PFC分為被動式和主動式兩種。被動式采用大電感串聯(lián)補(bǔ)償，主要缺點(diǎn)是體積大，且效率低。隨著近年來半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展，被動式PFC被主動式PFC全面取代。主動式PFC采用PFC控制器、開關(guān)管、電感和二極管組成升壓電路，具有體積小，輸入電壓范圍寬，功率因數(shù)補(bǔ)償效果好的優(yōu)點(diǎn)。 因此，碳化硅在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的關(guān)注度越來越高，并逐漸成為了大功率快充產(chǎn)品的核心競爭力。

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器，其特點(diǎn)是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。由于模塊式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)甚多，因此模塊電源廣泛用于交換設(shè)備、接入設(shè)備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領(lǐng)域和汽車電子、航空航天等。 一般來說，這類模塊稱為負(fù)載點(diǎn) (POL) 電源供應(yīng)系統(tǒng)或使用點(diǎn)電源供應(yīng)系統(tǒng) (PUPS)。由于模塊式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)甚多，因此模塊電源廣泛用于交換設(shè)備、接入設(shè)備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領(lǐng)域和汽車電子、航空航天等。 尤其近幾年由于數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的飛速發(fā)展和分布式供電系統(tǒng)的不斷推廣,模塊電源的增幅已經(jīng)超出了一次電源。模塊電源具有隔離作用，抗干擾能力強(qiáng)，自帶保護(hù)功能，便于集成。隨著半導(dǎo)體工藝、封裝技術(shù)和高頻軟開關(guān)的大量使用,模塊電源功率密度越來越大,轉(zhuǎn)換效率越來越高,應(yīng)用也越來越簡單。 人們在開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域是邊開發(fā)相關(guān)的電力電子器件，邊開發(fā) 開關(guān)變頻技術(shù)，兩者相互促進(jìn)推動著開關(guān)電源每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。開關(guān)電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類，DC/DC變換器現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)模塊化，且設(shè)計(jì)技術(shù)及生產(chǎn)工藝在國內(nèi)外均已成熟和標(biāo)準(zhǔn)化，并已得到用戶的認(rèn)可，但AC/DC的模塊化，因其自身的特性使得在模塊化的進(jìn)程中，遇到較為復(fù)雜的技術(shù)和工藝制造問題。 電源模塊的工作原理與開關(guān)電源的工作原理一樣，是采用功率半導(dǎo)體器件作為開關(guān)元件，通過周期性通斷開關(guān)，控制開關(guān)元件的占空比來調(diào)整輸出電壓。同時(shí)，根據(jù)應(yīng)用環(huán)境和電子產(chǎn)品的需要，通過一些電路設(shè)計(jì)，同時(shí)還擔(dān)負(fù)著變壓、隔離、濾波等功能。用一句話來說，模塊電源是集成度更高，功能與效率更好的開關(guān)電源。 模塊電源雖然說是屬于開關(guān)電源的一種，但它相比于普通的開關(guān)電源，有著很多的優(yōu)勢。它是可以直接插裝或貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器，其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。